Главная Метод порошковой металлургии 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 [ 20 ] 21 22 23 24 25 26 27 78. Некоторые электрофизические свойства для фотоприемников (ТУ 48-4-363-75) кремния, предназначенного Кремний рд.Ю, Ом.м (pHl-fH2) X X 102, Qm.j
КБ1 КБ2 КБЗ КБ4 КБ5 КБ6 КБ7 КБ10 КБ11 КБ1? 20 20 Св. 50 100 100 200 > 200 400 400 600 40 7,5 5 до 50 вкл. 80-140 80-140 100-250 100-250 2000 и выше таллического слитка [111], отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не Ллее 3°. Плотность дислокаций не более 5* 10 м ; концентрация атомов оптически активного кислорода не более 2 102 м . Монокристаллический моносилано-вый кремний (ТУ 48-4-504-88), предназначенный для производства pin-диодов и магнитодетекторов, изготов- 79. Удельное электрическое сопротивление моносилапового кремния (ТУ 48-4-504-88)
ляется методом бестигельной зонной плавки в вакууме или газовой среде электронного или дырочного типа электрической проводимости. Удельное электрическое сопротивление марок кремния дырочного типа электрической проводимости (КМД) и электронного типа электрической проводимости (КМЭ) приведено в табл. 79. Допустимое относительное отклонение УЭС от среднего значения по длине слитка не более 35 %; время жизни неравновесных носителей заряда не более 500 мкс для всех марок. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка [111], отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 3°. Плотность дислокаций не более 4*108 см; концентрация атомов оптически активного кислорода не более 2.1022м . Поликристаллический зонноочищен-ный германий (ГОСТ 16154-80) марок ГПЗ 1 и ГПЗ 2 предназначен для изготовления легированных монокристаллов германия, для получения сплавов, производства заготовок оптических деталей и других целей. Монокристаллы германия, предназначенные для производства полупроводниковых приборов, легированные сурьмой, изготовляют (ГОСТ 16153- 80) электронного типа электрической проводимости (ГЭ) и легированные галлием дырочного типа электрической проводимости (ГД). Диаметр монокристаллических слитков 28-40 мм, длина не менее 50 мм. Интервал номинальных УЭС 0,001-0,45 Ом-м. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка [1111; предельное отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации не более 2°, Номинальные УЭС монокристаллических слитков выбирают в соответствии с ГОСТ 8032-84 по следующим рядам: для УЭС 0,0001-0,1 Ом-м - (0,1; 0,12; 0,15; 0,2 0,25; 0,31; 0,4; 0,5; 0,63; 0,8; 1,0)-Ю Ом-м; для УЭС 0,01-0,10 Ом-м - (1,1; 1,4; 1,8; 2,2; 2,8; 3,5; 4,5; 5,6; 7,1; 9,0). 10 Ом-м; для УЭС 0,10-0,45 Ом-м - (11,2; 14; 18; 22,4; 28; 35,5; 45). 1Г Ом-м. Монокристаллическне слитки германия по допускаемому- отклонению удельного электрического сопротивления от выбранного номинала и по плотности дислокаций делят на три подгруппы. Для подгруппы 1 допускаемое отклонение УЭС от выбранного номинала не должно составлять более ±25%, для подгруппы 2 - более dz20 % и для подгруппы 3 - более ±15%. Плотность дислокаций для подгруппы 1 должна сосгавлять не ее 5.10 м , для подгруппы 2 - не более 2 W d , длл подгруппы 3 - не более 8.10 м-2. Подвижность носителей заряда в монокристаллических слитках германия в зависимости от УЭС и тила электрической проводимости должна соответствовать нормам, указанным в табл. 80. Монокристаллический германий, легированный золотом (3), сурьмой и золотом (СЗ), галлием и золотом (ГЗ) (ТУ 48-4-291-74, ОКП 17 7441), предназначенный для производства полупроводниковых прий)ров, поставляется в виде слитков электронного (Э) типа электрической проводимости и дыроч- 80. Подвижность носителей заряда в монокристаллических слитках германия (ГОСТ 16153-80)
ного (Д) типа электрической проводимости. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка [1111; отклонение плоскости торцового среза ох плоскости ориентации не более 3®, Некоторые электрофизические свойства германия приведены в табл. 81. Монокристаллические слитки выращивают диаметром 18-35 мм и длиной св, 30 мм. Монокристаллический германий, легированный фосфором, электронного типа электрической проводимости (ТУ 48-4-396-77, ОКП 17 7443), предназначенный для производства подложен эпитаксиальных структур (марки ГЭФ-0,001) и полупроводниковых прибрров (марка ГЭФ-0,005), выпускают с номинальным значением УЭС не более 0,000012 и 0,00005 Ом-м соответственно. Монокристаллическне слитки германия марки ГЭФ-0,001 имеют диаметр 20 мм и длину не менее 50 мм; слитки германия марки ГЭФ-0,005 имеют дна-метро 25 мм и длину не менее 25 мм* Ориентация продольной оси монокристаллических слитков [11Ц; отклонение плоскости торцового среза от плоскости 81. Электрофизические свойства германия (ТУ 48-4-291-74)
ориентации не более 2°. Плотность дислокаций для марки ГЭФ-0,001 не более 3-107 для марки ГЭФ- 0,005 не более 5-108 м. Сложные полупроводники типа AIBV используются для изготовления диодов, транзисторов, сверхвысокочастотных приборов на основе эффекта Гана, модуляторов инфракрасного излучения, приемников излучения, солнечных батарей, лазеров, датчиков Холла, магниторезисторов и других приборов. В табл. 82 приведены некоторые физико-химические свойства фосфидов, арсенидов и антимонидов галлия и индия. Эти соединения имеют кубическую решетку типа цинковой обманку (пространственная группа Т1 f43m)-Сложные полупроводники типа AiV выпускаются промышленностью в широком ассортименте. Для характеристики отдельных марок полупроводников используются буквенно-цифровые обозначения. Первыми двумя буквами обозначается собственно полупроводник: АГ - арсеиид галлия, ФГ - фосфид галлия, ГС - антимонид галлия, ИМ - арсенид индия, ФИ - фосфид индия, ИС - антимонид индия. Справа добавляется буква, обозначающая тип электропроводимости: Э - электронный, Д - дырочный. Для ар-сенида галлия после АГ добавляется буква Н для слитков, полученных горизонтальной направленной кристаллизацией, или Ч - для слитков, полученных по методу Чохральского, Далее идет буква, обозначающалйегирующую примесь: Т - теллур, О - олово, Ц - цинк, Г - германий, К - кремний, X - хром, М - марганец. После набора прописных букв идут цифры и строчные буквы, характеризующие различные параметры материала. Расшифровка значений марок дана в соответствующих технических условиях. Арсенид галлия (ОСТ 4.032.015-80) применяется для производства электронных приборов и эпитаксиальных структур. Арсенид галлия выпускается как в виде поликристаллических слитков (марка АГН-1), так и в виде монокристаллических слитков (остальные марки). Выращивают монокристаллы либо горизонтальной направленной кристаллизацией, либо вытягиванием по методу Чохральского из-под флюса. В качестве легирующих примесей используют теллур, олово, цинк и кремний. Монокристаллические слитки, легированные цинком, имеют дырочный тип электрической проводимости, остальные - электронный. Слитки арсе-нида галлия различных марок различаются концентрацией основных носителей заряда (ОНЗ), допустимым отклонением концентрации ОНЗ (табл. 83) от номинального значения (10- 80 %), номинальными значениями диаметров слитков (20-50 мм), плотностью дислокаций (5-10-8-108 -2) Ориентация продольной оси монокристаллических слитков [111], [100], [ПО]. Отклонение плоскости торцового среза |
© 2011 - 2024 www.taginvest.ru
Копирование материалов запрещено |