Главная  Метод порошковой металлургии 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 [ 21 ] 22 23 24 25 26 27

82. Некоторые физико-химичесжие свойства полупроводниковых соединений типа АВ [33, 39]

Параметр

Ga,P

GaAs

GaSb

InAs

InSb

Относительная молекулярная масса

100,69

144,64

191,47

145,79

189,74

236,57

Ppeнтг lO- кг/мз

Постоянная решетки при 25 С, им

4,07

5,32

5,65

4,78

5,67

5,78

0,54506

0,565315

0,60954

0,58687

0,605838

0,64789

Твердость по минералогической шкале

Микротвердость, ГПа

2,35

Температура плавления, °С

1467

1238

1058

Удельная теплота плавления, кДж/кг

1220

Удельная теплоемкость при 27 Дж/(кг.°С)

Теплопроводность при 27 С, Ёт/(м-®С)

Температурнкй коэффициент линейного расширения а-10, °С-

5,39

4,68

Температура Дебая, °С

Ширина запрещенной зоны, эВ: при 27 °С при -273 °С

2,26

1,43

0,70

1,35

0,36

0,18

2,34

1,52

0,813

1,42

0,425

0,236

Приведенная эффективная масса тэфф По: электронов

0,35

0,068

0,047

0,073

0,025

0,0155

легких дырок

0,17

0,087

0,052

0,078

0,025

0,02

тяжелых дырок

0,67

0,48

0,35

0,41

Подвижность носителей заряда при 27 °С,

mV(B-c):

электроны дырки

Удельное электрическое сопротивление, Ом.м

Показатель преломления

0,019

0,95

0,40

0,46

3,30

7,80

0,012

0,045

0,14

0,015

0,046

0,075

0,01

0,004

--0,0009

0,005

0,0003

0,00024

3,45

3,58

3,79

3,27

3,52

3,96

Низкочастотная диэлектрическая про-

11,12

12,53

15,63

12,35

14,55

17J2

ницаемость

Упругие постоянные, ГПа [4}:

86,5

67,2

141,2

118,8

88,5

Ю2,2

62,53

53,8

40,4

57,6

48,5

36,6

70,47

59,4

43,2

46,0

39,6

30,2



83. Концентрация основных носителей заряда (ОНЗ) в слитках арсенида галлия (ОСТ.4.032.015-80)

Марка

Концентрация ОНЗ, м

1 Марка

Концентрация ОНЗ м-

Не более ЫО

АГЧО-1

1,5.102 2,5.104

АГН-1

у> 2.1022

АГЧО-2

Ы 0234.1024

АГН-2

2-1022

АГЧО-3

2,5.1024-5.1024

АГЧТ-1

6-10224.102

АГЧЦ-1

1,5.1023-2.102

АГЧТ-2

5.1022-8.1024

АГЧЦ.2

2.1025-6,5.1025

АГЧТ-3

4.1024-1.1025

АГЧЦ-З

6,5.1025-9.1025

АГНК

9.1023-3,5.1024

АГЧЦ-4

9-1025-1,2. 102

84. Подвижность основных носителей заряда (нижний предел) для арсенида галлия, легированного теллуром, оловом, цинком и нелегированного при температуре (23±2) С (ОСТ 4.032.015-80)

Концентрация

Подвижность носителей заряда, mV(B с), примесях

при легирующих

Теллур

Олово

Цинк

Нелегированный арсенид галлия

Ы022

0,50

2. 1022

0,48

4-1022

0,40

0,44

6-1022

0,39

0,42

8.1022

0,39

0,38

Ы023

0,38

0,37

0,0170

2.1023

0,36

0,34

0,0160

4.1023

0,34

0,31

0,0140

6.1023

0,32

0,29

0,0135

8.1023

0,30

0,28

0,0120

1 . 1024

0,25

0,22

0,0100

4-1024

0,20

0,16

0,0080

6-1024

0,17

0,0065

8-1024

0,14

0,0055

1-1025

0,0050

5- 1025

0,0040

1-1025

0,0030

от плоскости ориентации не более 3°, Подвижность основных носителей заряда должна соответствовать табл. 84.

Арсенид галлия, легированный крСхМ-нием, выпускается пяти марок (АГНК-1-АГНК-5) с номинальной концентрацией ОНЗ 9-1023-3,5 X X 1024 мЗ; ПОДВИЖНОСТЬ ОНЗ не ниже 0,12 м2/(В-с). Плотность дислокаций МО-МОмЛ

Выпускаются четыре марки арсенида галлия (полуизолирующий, легированный хромом, кислородом и индием) о УЭС не менее 1-105 Ом-м и арсенид галлия для модуляторов марки АГЧПМ с УЭС не менее 5-105 Ом.м.

Монокристаллический фосфид галлия, предназначенный для производства полупроводниковых приборов, изготовляется как электронного, так и



дырочного типа электрической проводимости. В качестве легирующих примесей используютс% сера, цинк, окись крома. Для легирования высокоомного фосфида галлия марки ФГВ-1 используются железо, ванадий и марганец. Легирование фосфида галлия марок ФГВ-2 и ФГВ-3 осуществляется хромом. Слитки монокристаллического фосфида галлия выпускаются с номинальными значениями диаметра 35, 40, 45, 50 мм и длиной не менее 30 мм. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка [111] или [100] Некоторые электрофизические свойства монокристаллических слитков фосфида галлия приведены в табл. 85.

Антимонид галлия, предназначенный для производства полупроводниковых приборов й других целей (ТУ 48-4-464-85, ОКП 17 7591), выпускается в виде иелегированных и легированных теллуром или кремнием монокристаллических слитков, выращенных по методу Чохральского. Длина и диаметр слитков не менее 20 мм. Плотность

дислокаций в слитках не превышает ЫО* м 2. Нелегированный и легированный кремнием антимонид галлия имеет дырочный тип электрической проводимости, а легированный теллуром- электронный. Основные свойства антимонида галлия приведены в табл.. 86.

Арсенйд индия для производства полупроводниковых приборов и оптических целей (ТУ 48-4-420-80) выпускается в виде поликристаллических слитков, выращенных по методу Брид-жмена (марка ИМЭП-0) и по методу Чохральского (марка ИМЭП-1), и в виде монокристаллических слитков нелегированных и легированных теллуром, оловом, цинком и марганцем, выращенных по методу Чохральского.

Концентрация ОНЗ при -ЮбС в образцах поликристаллического ар-сени да индия не превышает blQ м *; концентрация ОНЗ для различных марок монокристаллического арсенида индия приведена в табл. 87. Марки монокристаллических слитков делятся

85. Электрофизические свойства слитков фосфида галлия {33)

Марка

Концентрация ОНЗ. М-

Подвижность ОНЗ, mV(B.c) при 27 °С,

Плот ность дислокао ций, м~*, не более

не менее

не более

ФГЭ-1

1.10*-8-10

0,015

0,065

ФГЭС.1А

Ы02з 4.1023

0,012

0,050

5.То*

ФГЭС-1Б

0,012

0,040

4-108

ФГЭС-2

3-1023-7-1023

0,010

0,035

2.10

ФГДЦ-1

Ы023- 4 02з

0,004

2.10

ФГДЦ-2

4.1023-9.1025

2.10

ФГВ-1

1-10

5.10

ФГВ-2

Ш*-10

2-10

ФГВ-3

Не менее

2-10

Электрофизические свойства слитков антимонида галлия (ТУ 48-4-464-85)

Марка

Концентрация ОНЗ при -196*0, М-

Подвижность ОНЗ, mV(B.c), ае менее

Ориеатадня оси слитка

Не более 3-10

0,200

12111, (

111J

гсдк

Не менее

0,015

гсэт

3-10 -1,5.10**

0,300


1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 [ 21 ] 22 23 24 25 26 27

© 2011 - 2024 www.taginvest.ru
Копирование материалов запрещено